三星：3nmGAA研发进度领先台积电，将尽早商业化
据韩媒 BusinessKorea 报道，三星电子设备解决方案 (DS) 业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，全环绕栅极 (GAA) 技术将尽早实现商业化，该技术是下一代晶圆代工微制造工艺的核心。
“我们正在开发 GAA 技术领先于我们的主要竞争对手 (TSMC)，如果我们获得这项技术，我们的代工业务将能够进一步增长，”Jeong 在 8 月在线举行的三星技术与职业论坛上发表主题演讲时说。
GAA 被认为是 3 纳米工艺的关键部分，该工艺将在不久的将来被全球顶级代工公司采用。其关键点是将晶体管的结构从 3D (FinFET) 更改为 4D (GAA)，该晶体管充当半导体内部的“电流开关”。据三星电子称，2019 年对其 3 纳米 GAA 工艺设计套件与客户的测试表明，GAA 技术将芯片面积减少了 45%，并将能效提高了 50%。
行业分析师表示，谁将首先将 GAA 技术商业化仍需要观察一段时间。这是因为台积电也在推进商业化进程。 2011 年至 2020 年间，全球 31.4% 的 GAA 专利来自台积电。三星电子的专利占比为 20.6%。
三星电子表示，它在技术上与台积电并驾齐驱。 “三星于 2017 年开始其代工业务，但我们将凭借我们在存储器半导体方面的专业知识超过台积电，”Jeong 说，并引用了三星电子在台积电之前开发出搭载 FinFET 技术的 14MHz 产品的案例。
